저는 문제 해결을 위해 끊임없이 분석하고 최고를 향해 달려 가는걸 지향합니다. 목표를 가지고 수 많은 시행착오를 이겨내 결국 더 좋은 결과를 얻어내는 것으로부터 느끼는 희열을 잊지 못하기 때문입니다. 키파운드리 역시 Deep Trench Isolation based BCDMOS High Vgs HV 와 같은 최신 기술들을 도입하고 지속적인 개선을 통해 늘 더 좋은 결과를 위해 달려 나가고 있다고 느꼈습니다. 파운드리 사업도 역시 고객의 만족을 위해, 회사의 이익을 위해 끊임없이 달려가야 한다고 생각합니다. 저는 제조기술 직무에서 더 좋은, 더 높은 수율을 자랑하는 제품을 완성하고 키파운드리의 이미지를 제고하는 주체로 거듭나고자 지원하였습니다.
교내 ULSI 강의를 통해 반도체 전 공정에 대해 학습하였고 이를 직접 실무로 경험해보고 싶었습니다. 이에 SPTA 주관 패터닝 공정실습에 참여했습니다. 팀별로 PR 두께, exposure time, develop time 등 공정 변수를 다르게 하여 마스크 패턴을 4인치 웨이퍼에 새겼습니다. 저희 조는 ADI CD 측정을 통해 develop time이 너무 짧거나 긴 경우 Fail이 일어난 것을 확인했습니다. 이외에도 Spin coating시 PR의 도포 상태와 같은 아주 사소한 변수도 Fail의 원인이었습니다. 공정의 첫 과정이라고 할 수 있는 부분에서부터 수율이 현저히 낮아질 수 있다는 것을 느꼈습니다.
이후에 MOSFET 제작 공정 실습에 참여하여 100, 50, 30, 10um MOSFET을 양산했습니다. 직접 FAB에 들어가 3일간 Photo, Etch, LPCVD등과 같은 전 공정을 직접 참여하였고, 이전에 분석한 Fail 원인들을 팀원들과 공유하여 진행했습니다. 완성된 MOSFET의 전기적 특성을 측정했고, 여전히 Fail 된 제품들이 존재했습니다. 이를 통해 Fail이 일어난 제품들에 대해 다른 팀들과 결과를 공유하며 원인에 대해 의논해보았고, wet etch 시간에 따라 target 이외의 부분이 함께 etch 된 경우, 장비와 환경에서의 particle, 특히 LPCVD 과정에서의 particle 이슈가 강한 것으로 파악되었던 이슈 등 사소한 실수들이 원인이 되었다는 것을 알 수 있었습니다.
이를 계기로 전 공정 과정에서 아주 작은 이슈들로 수율이 현저히 낮아진다는 것을 깨달았습니다. 이 경험들을 바탕으로 업무를 빠르게 습득하고 최고의 제품과 수율을 위해 끊임없이 매달리는 엔지니어가 되겠습니다.
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