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기업의 주력 사업과 매출 구성을 확인할 수 있습니다.
주력 사업은 서류 전형 뿐 아니라 면접을 대비할 때도 알아두어야 하는 정보입니다.
또한 년도별 사업 및 매출 구성을 확인하면 기업의 변화를 알 수 있습니다.
매출구성 현황을 바탕으로 상위 우선순위 4개 사업분야만 노출됩니다.
2024.03 기준
매출액
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기업의 주요 영업활동 등을 통해 얻는 수익을 말합니다.
상품 등의 판매나 용역의 제공으로 얻어진 수익입니다.
[출처 : 네이버 지식백과 > 용어해설 > 매출액]
2023년 매출액
27조 6천억원
작년 대비
-27%
하락
업계평균 대비
4584%
상승
2023.12기준
영업이익
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매출액에서 매출원가를 빼고 얻은 총이익 중에서 일반 관리비와 판매비를 제외한 금액입니다.
순수하게 영업을 통해 벌어들인 이익을 말합니다.
2023년 영업이익
-4조 6,721억원
2023.12기준
당기순이익
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일정 기간에 발생한 순이익을 말합니다.
순이익은 매출액에서 매출원가, 판매비, 관리비 등을 제외한 금액입니다.
[출처 : 네이버 지식백과 > 용어해설 > 당기순이익]
2023년 당기순이익
-4조 8,361억원
2023.12기준
산업 내 위치
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각 지표를 통해 기업의 산업 내 위치를 확인할 수 있습니다.
NICE평가정보 자료를 바탕으로 구성되었습니다.
기업등급
NICE평가정보 자료를 바탕으로 구성되었습니다.
동종업계 순위
동종업계
1위
-
1위에스케이하이닉스(주)
-
2위
-
3위
-
4위
-
5위
-
6위
-
7위
-
8위
-
9위
-
10위
표준산업 분류 기준 [발광 다이오드 제조업]의 공시된 재무정보(매출액)를 기준으로 평가된 순위입니다.
기업이슈
연혁
2024
07
세계 최고 사양 GDDR7 D램 공개
06
AI PC용 고성능 SSD PCB01 개발
05
차세대 모바일 낸드 솔루션 ZUFS 4.0 개발
04
청주 신규 Fab(M15X) D램 생산 기지 결정
03
초고성능 AI 메모리 HBM3E 세계 최초로 양산
2023
11
LPDDR5T 16GB 패키지 제품 상용화
08
세계 최고 사양 HBM3E 개발
세계 최고 용량 LPDDR5X 24GB 패키지D램 양산
06
차량용 메모리 솔루션 ASPICE 레벨2 인증 획득
세계 최고층 238단 4D 낸드 양산
05
10나노급 5세대(1b) 서버용 DDR5 세계 최초 데이터센터 호환성 검증 돌입
04
세계 최초 12단 적층 HBM3 개발
01
세계 최고속 모바일용 D램 LPDDR5T 출시
2022
12
세계 최고속 서버용 D램 MCR DIMM 개발
08
세계 최고층 238단 4D NAND 개발
주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료
06
현존 최고 사양 DRAM인 HBM3 양산
04
SK하이닉스의 128단 NAND와 솔리다임의 컨트롤러를 결합한 고성능 SSD 신제품인 P5530 출시
03
대표이사 이석희 사임
02
차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발
2021
12
인텔(사) NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료
업계 최초 24Gb DDR5 DRAM 샘플 출하
10
주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정
업계 최초 HBM3 DRAM 개발
07
EUV 활용 4세대 10나노급 8Gb LPDDR4 모바일 DRAM 양산
04
128단 4D 낸드 기반 PCIe Gen 4 기업용 SSD 신제품 양산
03
대표이사 박정호 선임
업계 최대 용량 LPDDR5 모바일 DRAM 양산
2020
11
RE(Renewable Energy)100 가입
10
Intel사 NSG의 옵테인 사업부를 제외한 NAND 사업 부문 전체 영업양수결정
세계 최초 2세대 10나노급 DDR5 출시
07
업계 최고속 HBM2E 양산
04
CDP(Carbon Disclosure Project) 코리아 어워드 물 경영 부분 대상
03
이사 4인 선임(감사위원회 위원 2인 포함)-. 이사 선임: 이석희-. 기타비상무이사 선임: 박정호-. 사외이사 선임: 신창환, 한애라-. 감사위원회 위원 선임: 하영
2019
12
10나노급 LPDDR4 환경성적표지 인증 획득
10
3세대 10나노급 16Gb DDR4 개발
08
업계 최고속 HBM2E 개발
06
세계 최초 128단 4D 낸드 양산
05
96단 4D 낸드 기반 고성능 1Tb QLC 샘플 출하
2018
11
10나노급 2세대 8Gb DDR4 개발
96단 512Gb TLC 4D 낸드플래시 개발
04
10나노급 16Gb DDR4 개발
03
이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 박성욱-. 사외이사 선임 : 송호근, 조현재, 윤태화-. 감사위원회 위원이 되는 사
02
72단 3D 낸드 기반 4TB 기업용 SATA SSD 및 1TB 기업용 PCIe SSD 개발
2017
09
도시바 반도체 사업 지분 인수를 위한 타법인 지분 출자 결의
07
에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)에 Foundry사업과 관련된 자산 등 포괄적 양도
04
20나노급 8Gb 기반 GDDR6 DRAM 개발
72단 256Gb TLC 3D 낸드플래시 개발
01
16Gb 기반 8GB LPDDR4X 출시
2016
10
(주)실리콘화일과 CIS영업부문에 대한 영업양수
2015
08
샌디스크와 특허 라이선스 연장 및 공급 계약 체결
03
이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
02
사업연속성경영시스템(ISO22301) 인증 획득
도시바와 NIL 기술 공동 개발 계약 체결
2014
10
최대용량 비휘발성 하이브리드 DRAM 모듈 개발
09
차세대 와이드 IO2 모바일 DRAM 개발
중국 충칭 후공정 생산법인 (SKHYCQL) 준공
05
20나노급 모바일 DRAM 저탄소 제품 인증 획득
04
20나노급 8Gb DDR4기반 128GB 모듈 개발
01
(주)실리콘화일과 포괄적 주식교환계약
2013
12
20나노급 8Gb LPDDR4 개발
10
20나노급 6Gb LPDDR3 개발
07
삼성전자와 반도체 특허 크로스라이선스 계약 체결
06
램버스社와 포괄적 특허 라이선스 계약 체결
20나노급 8Gb LPDDR3 개발
03
김준호 사내이사 1인 신규 선임
2012
09
플래시 솔루션 디자인 센터 설립
06
낸드플래시 개발업체 아이디어플래시(Ideaflash S.r.l.) 인수
03
상호 변경 : 에스케이하이닉스(주)
2011
03
대표이사 변경 : 권오철
30나노급 2Gb DDR4 개발
2010
12
30나노급 4Gb DDR3 개발
06
중국 후공정 합작공장 HITECH 준공
02
20나노급 64Gb 낸드플래시 개발
01
40나노 2Gb 모바일 DRAM 개발
2009
12
40나노 2Gb GDDR5 개발
10
2세대 1Gb DDR3 개발
02
44나노 DDR3 D램 개발
2008
12
54나노 2Gb 고용량 모바일 D램 개발
8단 적층 낸드플래시 개발
06
중셀(X3) 기술 기반 32Gb 낸드 플래시 개발
실리콘화일社 지분취득 결정 및 기존 파운드리 계약범위 확대
2007
11
'일하는 이사회'를 위한 신(新)이사회 제도 도입
1Gb GDDR5 개발
09
초박형(25㎛) 24단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
08
200MHz 1Gb 모바일 D램 개발
07
공정거래 자율준수프로그램 도입
05
초박형(25마이크로미터) 20단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
04
퓨전메모리 제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산
청주 신규 300mm 공장 착공
03
ECC회로 적용한 185HMz 512Mb 모바일 D램 개발
대표이사 변경 : 김종갑
2006
12
200MHz 512Mb 모바일 DRAM 개발
60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800MHz 모듈 개발
09
300mm 연구소(R3 R&D Fab) 설립
2005
12
513Mb GDDR4(11.6GBPS) D램 개발
11
JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발
07
채권금융기관 공동관리 조기종료
04
중국 장쑤성 우시시에 중국 현지 합작공장 착공
01
전력 소모 30%이 줄인 서버용 메모리 모듈 개발
2004
10
비메모리 사업부문 영업양도 완료
06
1Gb DDR2 고성능 서버용 4GB 모듈(RDIMM) 및 노트북용 2GB 모듈(SoDIMM) 시제품 출시
03
DDR2 SD램 550MHz 개발
노트북용 1GB DDR2모듈 (SODIMM)출시
02
512Mb 낸드 플래시메모리 개발 성공
2003
09
셀레스티카사로부터 우수 협력업체 수상
08
1기가 DDR2램 개발 성공
0.18미크론 고전압 공정기술 세계 최초 개발
07
초고속 256메가 DDR500 출시
06
4천96 색상 구현 유기 EL 구동 칩 출시
환경/안전/보건 기술연구소 설립
05
0.10미크론급 골든칩 양산기술성공 모바일용 초저전력 256메가 sd램 양산
03
하이닉스반도체, CMOS 고주파 PLL 집적회로 칩 출시
하이닉스반도체, 업계 최초 메가급 Fe램 상용화 기술 개발
02
대표이사 변경 : 우의제
2002
12
-메인 및 그래픽 메모리용 초고속256메가 DDR SD램 출시
그래픽 메모리용 초고속 128메가 DDR SD램 출시-
08
메모리 모듈 국내 판매 사이트 오픈
그래픽 메모리용 초고속 256메가 DDR SD램 최초 출시
07
블루투스 '임베디드 플래시 베이스밴츠침' 개발, 우의제 대표이사 선임
06
고성능 정보가전용 256메가 SD램 최초 출시
05
대표이사 변경 : 박상호
03
1기가 DDR D램 모듈 출시
2001
12
그래픽용 128M DDR SDRAM 세계 최초 출시
10
0.10미크론급 512메가 DDR 개발
카오디오용 8비트 MCU 개발/양산 돌입
07
통신 ADSL 사업부문 "현대시스콤"으로 분사
LCD 사업부문 "현대디스플레이테크놀로지"로 분사
06
국내외 대규모 GDR 발행 성공
05
통신네크워크 사업부문 " 현대네트웍스"로 분사
통신단말기 사업부문 "현대큐리텔"로 분사, 1메가 강유전체 메모리 (FeRAM) 개발
04
그래픽용 세계 최고속 DDR SD램 양산
03
상호 변경 : (주)하이닉스반도체
01
초고속 512메가 DDR SDRAM 개발
2000
12
초소형 256MB 반도체 모듈 개발
10
인도 CDMA WLL 장비시장 진출, 가정의 날 휴가제조 시행
전사적 자원관리 시스템(ERP) 본격 가동
08
새슬로건 "Human & Digital"선포, PDP사업부문 분사
신기능 15.0/18.1인치 TFT-LCD 모듈 개발
07
'글로벌 자금관리 시스템' 운용개시
06
차세대 고성능 18.1인치 TFT-LCD 개발 양산
05
국내 최초 ADSL 시스템 수출개시
세계 최초로 메모리카드용 USB IC 'Music Charger' 개발
04
MPEG-4/7기술 국제 표준 작업에 채택, 배터리 충전기용 MCU 개발 양산
03
세계 최소형 256메가 싱크로너스 D램 사용제품 개발
02
미 인텔사로부터 '인텔 개발자 회의'에서 CMTL상 수상
1999
12
국내 대형 제조업체중 최초로 스톡옵션제 시행
11
19"모니터, 독일 PC전문지로부터 최우수 모니터 선정
세계최초로 신메모리 공정기술 개발
10
현대반도체(주) 흡수합병
06
세계 최고속 그래픽용 16M 싱크로너스 D램 양산
02
국내최초 MP3 디코더 칩 생산
1998
12
0.25um 비메모리 제조기술 개발
세계 최초 4기가 D램용 감광제 양산 기술화 성공및 기술수출
11
세계 최고속 128M SDRAM 양산
10
4세대 64M 싱크로너스 DRAM 개발
09
64M DDR 싱크로너스 DRAM 개발
차세대 메모리 FeRAM개발, 세계 최소형 Direct Rambus DRAM개발
08
MAXTOR(HDD제조공급) 나스닥 상장
05
미국 오레건주 유진 반도체공장 준공
04
미국내 반도체 디자인회사 설립, 순수 국내기술 '음성인식' PCS 단말기 출시
03
MPEG-4 핵심기술 국제표준안 채택
02
26인치 PDP 독자개발, 세계 최초 초고속 64M SDRAM 양산 성공
국내최초 자동차용 비메모리 반도체 개발
1997
12
국내최초 디지털 HDTV방송시스템 개발, 64M DRAM 월산 500만개 생산체제 구축
11
세계최초 싱크링크 DRAM 시제품 개발
09
중국대련 HDD공장 착공
05
SOI 기술을 이용한 1기가 싱크로너스 DRAM 개발
03
뉴질랜드 위성통신서비스사업 참여, 대표이사 변경 : 김영환
1996
12
기업공개 및 상장, TFT-LCD공장 준공 및 생산가동
10
영국 스코틀랜드 반도체공장 설치
09
대만 위성통신서비스사업 참여
08
인도 위성통신사업 본격 참여
07
반도체 제7공장 준공및 생산가동
02
미국 오레건주 반도체공장(HSA) 착공
1995
12
국내 10대 제조업체인 진입
10
세계 최초 256M SDRAM 개발
09
국내 최초 386CPU CHIP개발
08
미국 정부 Workstation 납품업체 선정
06
미국 개인휴대통신 (PCS)사업참여
04
세계 최초 MPEG2 SAVI 디코더칩 개발
1993
10
인공위성사업 본격 추진
03
뉴미디어 (디지털가전)사업 착수
1992
09
반도체 64M DRAM 개발
1991
03
반도체 16M DRAM 개발성공, PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
1989
12
CAMERA 생산개시
09
반도체 4M DRAM 개발
1988
06
PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
01
IM DRAM 개발성공
1986
10
이천공장 종합준공식
1985
11
CMOS 256KDRAM 시제품 개발
07
256KDRAM,IMDRAM,256KSRAM 기술도입인가
1984
10
반도체 1공장,산업전자,정보공장 가준공
1983
10
현대전자공장 가동
02
상호 변경 : 현대전자산업(주)
1949
10
국도건설(주) 설립
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Nice 평가정보
고용현황
채용 History
561회의 채용 중
정규직 채용은 462회입니다.
최근 3년간
채용 횟수
최근 3년 기준
사원수
최근 4년 기준
채용공고
근무환경
기업소개
인터넷과 정보통신을 중심으로 빠르게 디지털화가 이루어지고 있는 21세기는 반도체의 중요성이 과거 어느때보다 강조되는 시기입니다. 증기기관이 20세기의 산업사회를 만들었다면 21세기 디지털사회는 반도체가 만들어가고 있습니다.
하이닉스반도체는 꾸준한 연구개발 투자와 고객만족 경영,공격적인 마케팅을 바탕으로 세계적인 반도체 전문기업으로 성장해 왔습니다. 특히 지난 1999년 LG반도체와의 합병을 통하여 세계 최대의 DRAM생산능력을 확보한 하이닉스반도체는 2000년 본격적으로 통합 시너지 효과를 극대화함으로써 R&D 및 제품력에 있어서도 세계 최고의 반도체 업계로 성장할 수 있는 기반을 갖추게 되었습니다. 또한 비반도체 사업부문의 분리매각 또는 분사를 통한 사업구조 재편 등을 통하여 원가경쟁력을 강화하였습니다.
하이닉스반도체는 21세기 디지털시대의 리더로서 모두가 더욱 풍요로운 디지털 생활을 즐길 수 있는 세상을 만들기 위해 노력하고 있습니다. 나아가 주주에게는 최대의 이익을,고객에게는 최고의 만족을 줄 수 있는 세계적인 기업으로 성장하기 위해 최선의 노력을 다할 것입니다.
[인사말]
[기업비전]
[핵심가치]
[로고의미]
[사업영역]
[인재상]
[기업위치]
하이닉스반도체는 꾸준한 연구개발 투자와 고객만족 경영,공격적인 마케팅을 바탕으로 세계적인 반도체 전문기업으로 성장해 왔습니다. 특히 지난 1999년 LG반도체와의 합병을 통하여 세계 최대의 DRAM생산능력을 확보한 하이닉스반도체는 2000년 본격적으로 통합 시너지 효과를 극대화함으로써 R&D 및 제품력에 있어서도 세계 최고의 반도체 업계로 성장할 수 있는 기반을 갖추게 되었습니다. 또한 비반도체 사업부문의 분리매각 또는 분사를 통한 사업구조 재편 등을 통하여 원가경쟁력을 강화하였습니다.
하이닉스반도체는 21세기 디지털시대의 리더로서 모두가 더욱 풍요로운 디지털 생활을 즐길 수 있는 세상을 만들기 위해 노력하고 있습니다. 나아가 주주에게는 최대의 이익을,고객에게는 최고의 만족을 줄 수 있는 세계적인 기업으로 성장하기 위해 최선의 노력을 다할 것입니다.
[인사말]
[기업비전]
[핵심가치]
[로고의미]
[사업영역]
[인재상]
[기업위치]
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