[담당업무]

- GaN HEMT 소자개발

- GaN HEMT 소자 특성 평가 및 분석

- GaN HEMT 소자 & package Level Reliability test

[자격요건]

- 학력: 학사이상

- 경력: 7년이상

- Discrete Device design 경험

- Discrete device test & Reliability test 경험, Module test 경험

[우대사항]

- MOSFET/IGBT 개발 경력자 (10년 이상 경력자)

- GaN HEMT 개발/평가 경험자

[근무지]  경기 부천 or 충북 음성